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三五年内手机存储卡可做到1000个G

时间:2010-12-5 17:23:32  作者:喷绘机开关   来源:三极管  查看:  评论:0
内容摘要:   只需三五年时刻,手机的存储容量就能够到达1000个G,轻松带着一个图书馆不再是愿望。近来,在有机电子与信息显现国家重点实验室培养基地、南京工业大学等联办的“光电子学


    只需三五年时刻,手机的存储容量就能够到达1000个G,轻松带着一个图书馆不再是愿望。近来,在有机电子与信息显现国家重点实验室培养基地、南京工业大学等联办的“光电子学、资料与动力国际研讨会”上,专家透露了这一令人等待的音讯。   研讨会上,来自美、英、德、意、新加坡等国家的尖端专家学者,包含美国纳米科技领军人物、奥巴马总统科技参谋Chad A Mirkin教授,闻名有机光电子学领军科学家、美国艺术与科学院院士Fred Wudl 教授等,与中国科学院、国家纳米科学中心、北京大学、香港理工大学等高校科研机构的专家学者,一同沟通研讨了光电子学、资料与动力等前沿学科最新研讨、使用效果及面对的应战。
  据本次大会主席、中科院院士、南京工业大学校长黄维介绍,20世纪是高耗能高污染的硅资料世纪,21世纪则是低能耗低污染的碳资料世纪,而根据碳资料的有机光电子学,将给咱们的日子带来很大改动。

 
  黄维举例,伴随着有机光电子学的使用研讨,电子纸、可曲折的电视屏幕等将不再是愿望,未来的手机也将规划成“手表”,具有强壮的数据存储等功能,人们能够轻松带着一座超大容量的图书馆,国家图书馆、大英博物馆都能够储存在手机里。 “关键在于手机信息储存才能的扩展,现在手机里的存储卡最大不过几十个GB。经过有机光电子学的使用研讨,三五年内就能做到1000个G。”黄维解说。

  现在,国际最大容量的microSD手机存储卡容量为128GB,来自闪迪SanDisk,而十年前只要128MB。

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